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- アプリケーション
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- 化合物半導体（GaAs、InP）
- MEMSデバイス（自動車、AlN高周波フィルター）
- IPデバイス（PZT、SiCr薄膜抵抗器）
- 不揮発性メモリー（FeRAM、MRAM、RRAM）
- <Tegal 900シリーズ>
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- 1チャンバーRIE装置
- 高コストパフォーマンス（コンパクト、高スループット、安価）
- シンプル構造、操作・メンテナンス容易
- 4〜8インチウェーハ対応
- <Tegal 6500シリーズ>
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- 2エッチング室クラスター装置
- 2周波プラズマ方式
- 4〜8インチウェーハ対応
- オプション
- アプリケーション
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- アンダーバンプメタライゼーション（UBM)
- パワーデバイス用裏面メタル
- MEMSデバイス（自動車、AlN高周波フィルター）
- IPデバイス（SiCr薄膜抵抗器）
- 特徴
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- 5プロセスチャンバー
- 3rd party front-end
- 200mm / 300mm ブリッジ対応
- Gem/SECS対応
- 小フットプリント
- 高信頼性
- Metal: Ag,Al,Au,Cr,Cu,Mo,Pt,Si,Ta,Ti,W
- Alloy: AlCuSi,AlCu,NiCr,NiV,SiCr,TaSi,TiSi,TiW
- Oxide: Al2O3,ITO,Cr2O3,SiO2
- Nitride: AlN,Si3N4,TaN,TaSiN,TiN,TiSiN
- Carbide: SIC
- Oxi-Nit.: TaOxNy,CrOxNy
