- Meridian 〜高感度エミッション顕微鏡〜
- Global Scan 〜レーザースキャン顕微鏡〜
- Emi-Scope 〜タイミング解析用エミッション顕微鏡〜
- P3X-�� 〜表面用 回路修正FIB〜
- Opti FIB-�� 〜裏面用 回路修正FIB〜
- NEXS 〜データベース統合・CADナビゲーション〜
LSI，アナログ/ミックスト・シグナルLSI，不揮発性メモリ（フラッシュ・メモリ）向けなどの小型で低コストハイパフォーマンスなテスターに加え、システムLSIやCPU向けのハイエンドテスター群をラインアップに持つDCG社 （DCG 本社; 米カリフォルニア州 http://www.dcgsystems.com/）。
プローブシステムと呼ばれる解析装置群も加わり、現在はDiagnostic Characterization Group(DCG)と呼ばれる、タイミング解析装置（Emi-Scope）、回路修正FIB（OptiFIB,P3X-III）、エミッション顕微鏡などの解析ツールとして威力を発しています。
- Meridian / GlobalScan 〜高感度エミッション顕微鏡〜
- IC不良特定の定番である オバークとエミッション顕微鏡はGlobalScanとMeridianでカバー。
業界でも最高感度を誇レーザーインジェクションK-obarchとInGaAsセンサーは同じプラットフォームに同時搭載が可能です。 - 特徴
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- C-CCD・K-Obrirch・InGaAsの3つの検出器を同時搭載可能
- 冷却機構はヘリウム循環器を採用
- EmiScope 〜裏面タイミング解析装置〜
- IC裏面からトランジスタのタイミング解析を実現したDCGの解析フラッグシップ機。
特にSIL（ソリッド・エマージョン・レンズ）と呼ばれる裏面レンズはN/A2.45を実現し、解像度・感度共に脅威の性能を誇ります。 - 特徴
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- レーザー照射により発生する抵抗差を高感度アップで検出し不良解析が可能
- 表面からのEB・LVPでは対応できない裏面からのアプローチが可能
- P3X-�� / OptiFIB-�� 〜表・裏面回路修正 FIB〜
- 回路修正専用のFIB。特に裏面からのFIBはCCDによる画像謫ｾ機能も加わり、SIMS像では捕獲出来なかったフラットサーフェスの問題をクリア。CMP加工後のフラットな面も問題なく観察出来、精度良くＦＩＢ回路修正加工が可能です。
■DCG社製の装置を使用し、FIB回路修正サービスを提供しております
詳細はこちらまで：http://www.fib-service.com/ - 特徴
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- 90nmプロセス・Low-k材の回路修正にも対応・ 多層化する配線層に裏面からの回路修正が可能
- NEXS 〜データベース統合・CADナビゲーションソフト〜
- NEXSプラットフォームでは、DCG社独自のスケマティックソフト・レイアウトソフトを提供すると共に、ネットリストとのコネクションも共通のデータベースに格納可能にし、装置間の壁を取り払う事が可能です。
- 特徴
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- Layout・Schematic・GDS�挟屬離▲離董璽轡腑�
- エミッション・発光像との重ね合わせ・ナビゲーション
- 独自アーキテクチャーを使用したGDS�競如璽燭離灰鵐僖ぅ�
26名の従業員のうち20名が博士号を取得しており、「X線のレンズ」と呼ばれるゾーンプレートを開発しているエックスラディア社(Xradia, 本社: 米国カリフォルニア、http://www.xradia.com/) は、今まで不可能だったX線のナノレベル高解像度化を実現しました。同社のX線に関する技術・ノウハウはセミコン業界だけでなく、バイオ・医療も含めた多くの業界での活躍が期待されております。
MicroXCT パッケージ観察用X線CT装置 分解能：1um
30nmの解像度を誇るZonePlate使用透過型X線CT装置。
サンプルサイズ25mmx25mmx100um内であれば非破壊で3次元解析が可能。例えばスタックパッケージでトータルの厚みが100um前後でも解析は可能。1回で取り込める画像サイズは15umx15um。最大解像度で４時間程度。サンプル内の積層状態によって取得時間は左右されます。
- 特徴
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- 8Kev程度のX線を使用するため、非破壊検査でほどんどサンプルダメージは無い。
- 2次元ではなく、3次元解析の為、角度を変えて不良箇所の観察が可能。
例えばビアの不良を上・下・斜め等不良箇所が良くわかる方向から観察が可能。
- アプリケーション
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- 各層のAu,Al配線オープン・ショート解析
- ビアを含む各層の断面解析
- Al、Au,タングステン、O、が確認出来、更にシリコンクラックが40nm程度までであれば確認可能
MicroXCT パッケージ観察用X線CT装置 分解能：1um
1umの解像度を誇る透過型X線CT装置。最大サンプルサイズ150mmx100mm。
他社のX線CT装置は解像度を上げるためにX線スポットにサンプル（資料）を極限まで近づける必要があります。従ってCT像を取る為にはサンプルを小さくしていく必要がありました。
MicorXCTは最初から150mmという長い作動距離を確保しながら1umの解像度を実現している為、CT画像を取得する際も資料の加工をする必要が全く ありません。
- 特徴
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- 150Kev程度のX線を使用するため、非破壊検査でほどんどサンプルダメージは無い。
- 2次元ではなく、3次元解析の為、角度を変えて不良箇所の観察が可能。
例えばハンダボールの不良を上・下・斜め等不良箇所が良くわかる方向から観察が可能。
- アプリケーション
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- 各層オープン・ショート解析
- ハンダボールを含む各層の断面解析
- シリコンのマイクロクラックが確認
NanoXFi SEM後付蛍光X線イメージング装置
分解能：80nm 焦点深度：2um
SEMのEDXなどの為についているポートに後付する蛍光X線イメージ装置。 Cu,Alなどにフォーカスして配線を確認すれば配線のショート、オープンなどが80nmの解像で確認できます。通常は2um程度まで下層が透けて見えるので2〜3層分の検証が可能です。
各エレメント（B、C、O,Al,Cu・・）にそれぞれフォーカスしてそのエレメントだけが見えます。結果として見えている場所で不純物が混じっていればコントラストがつき、ユニフォーマティの確認も出来ます。
- 半導体顕微鏡システム
ヴィステック INM300UV/DUV 膜中透過顕微鏡
- 特徴
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- 物理解析過程で、より簡単に微細域までの観察を可能にします。
- DUV及びUVを使用する事で、表面から膜中の観察が可能になります。
- ライカ独自の無接合レンズ技術採用により可視光からUV・DUV光までをワンタッチで切り替え可能です。
- 局所電極型レーザー補助
三次元アトムプローブ装置
LEAP3000X
従来のボルテージパルス3次元アトムプローブでは高抵抗/絶縁材料の測定ができませんでしたが、今回Imago社が新たに開発したレーザーパルス機能により今まで測定ができなかった材料が測定できるようになりました。
更に、高速レーザーパルスを採用したことでデータ収集速度及び質量分解能が飛躍的に向上しております。
Imago社のLEAPシリーズは材料のナノ構造を原子レベルで3次元分析できる唯一の技術として今後も発展し続けます。
- 用途
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- 1.データストレージ（薄膜）トンネル薄膜のピンホール分析
ピンホールの組成解析
CCPP磁気ヘッド構造の三次元分析 - 2.金属材料、磁性材料
アロイ中析出物の分布及びサイズ分析
析出物中の元素解析
粒界及びバルク部の組成解析 - 3.半導体材料
不純物ドーパントの三次元分布分析
配線材料の組成、粒界等の解析
ジャンクション部の解析
- 1.データストレージ（薄膜）トンネル薄膜のピンホール分析
- 用途
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- 1.高速データ収集: 毎分120万個原子
- 2.質量分解能(FWHM): 1:1000
- 3.広観察視野: 〜100nm径
- 4.高機能解析ソフトウェア IVAS
